Bilgisayar

128 MB STT-MRAM: Dünyanın En Hızlı Yazma Hızı

Tohoku Üniversitesinde Profesör Tetsuo Endoh liderliğindeki bir araştırma ekibi; önbellek gibi dahili bellek uygulamalarında kullanılmak üzere 14 ns yazma hızında 14Mb yoğunluklu STT-MRAM (spin-transfer tork magnetoresistive rasgele erişim belleği) başarıyla geliştirdi. Bu, şu anda 100Mb üzerinde yoğunluğa sahip, gömülü bellek uygulaması için dünyanın en hızlı yazma hızıdır ve büyük kapasiteli STT-MRAM’ın seri üretimine yol açacaktır.

STT-MRAM; yüksek hızlı çalışma yeteneğine sahiptir. Gücü kapalıyken bile veriyi tuttuğu için çok az güç harcar. Bu özelliklerden dolayı STT-MRAM, yerleşik bellek, ana bellek ve mantık gibi uygulamalar için yeni nesil teknolojiye ışık tutuyor. 2018 yılında seri üretim başlayabilir.

Bellek; bilgisayar sistemleri, el cihazları ve depolamanın hayati bir bileşeni olduğundan, performansı ve güvenilirliği yeşil enerji çözümleri için büyük önem taşımaktadır.

(a) 128Mbit yoğunluklu STT-MRAM’ın mock-up görüntüsü (b) Besleme voltajına karşı, yazma hızına yönelik Shmoo grafiği, her hızdaki ölçülen çalışma bit hızını ve renk dereceli voltajı gösterir. /Tohoku Üniversitesi

STT-MRAM’ın mevcut kapasitesi 8Mb-40Mb arasında değişmektedir. Ancak STT-MRAM’ı daha pratik hale getirmek için bellek yoğunluğunu artırmak gerekir. Yenilikçi Entegre Elektronik Sistemler Merkezi (CIES) ekibi, Manyetik Tünel Bağlantıları’nın (MTJ’ler) CMOS ile entegre edildiği STT-MRAM’leri yoğun şekilde geliştirerek, STT-MRAM’ın bellek yoğunluğunu arttırdı. Bu; önbellek ve eFlash belleği gibi yerleşik belleğin güç tüketimini önemli ölçüde azaltır.

Tohuku Üniversitesi

MTJ’ler, bir dizi süreç gelişimi ile minyatürleştirildi. Yüksek Yoğunluklu STT-MRAM için ihtiyaç duyulan hafıza boyutunu azaltmak için, MTJ’ler doğrudan bir yarı iletken cihazın farklı katmanları arasında; iletken bir bağlantıya izin veren küçük açıklıklar aracılığıyla delikler üzerinde oluşturulmuştur. Küçük boyutlu bellek hücresini kullanarak, araştırma grubu 128Mb-yoğunluklu STT-MRAM tasarladı ve bir çip üretti.

Fabrikasyon çipte, araştırmacılar alt dizilimin yazma hızını ölçtüler. Sonuç olarak, 14ns ile yüksek hızlı çalıştırma, 1,2 V’luk bir düşük güç kaynağı voltajında ​​gösterildi. Bugüne kadar, dünyada 100Mb’nin üzerinde bir yoğunluğa sahip bir STT-MRAM çipinde en hızlı yazma hızına sahiptir.

Kaynak:
science daily
Etiketler
1 Oy2 Oy3 Oy4 Oy5 Oy (2 oy verildi, Ortalama: 5 üzerinden 5,00 oy )
Loading...

Benzer Makaleler

Bir cevap yazın

E-posta hesabınız yayımlanmayacak. Gerekli alanlar * ile işaretlenmişlerdir

Close