Samsung, 10nm sınıfı * işlem düğümleri kullanarak 5G ve otomotiv uygulamalarına özel odaklanarak 8Gb (1GB) LPDDR5 modüllerinde erken üretim açıkladı.
Yeni bellek, çok daha düşük VDD‘ye sahip 6,400Mbit / s’lik bir maksimum aktarma hızına sahip olacak (LPDDR4, 1,1 v’lik bir besleme voltajını belirtir; LPDDR5, sadece 0,5 v’luk bir VDD ile çalışabilir).
Bununla birlikte, yukarıda gösterilen voltaj hedeflerinin, belirli bir IC için değil, standart için olması da dikkat çekici. Samsung‘a göre, hafızası 6.400Mbit / s performans seviyesinde daha yüksek VDD – 1,1v ve 5,500Mbit / sn’lik bir bant genişliği için 1.05v kullanacak.
Bunların her ikisi de LPDDR4 üzerinde bir ilerlemedir. Samsung ayrıca performans iyileştirmelerinin iç tasarım geliştirmelerinin sonucu olduğunu iddia ediyor.
Yüksek Performans
Şirket açıklaması şöyle: “DRAM hücresindeki alt bölümlerin “ bellek ”sayısını ikiye katlayarak 8’den 16’ya kadar, yeni bellek güç tüketimini azaltırken çok daha yüksek bir hıza ulaşabilir. 8Gb LPDDR5 ayrıca, çipin ultra yüksek hızlı performansını doğrulayan ve sağlayan yüksek derecede gelişmiş, hız-optimize devre mimarisini de kullanıyor. ”
Güç verimliliği, çipin uygulama işlemcisinin çalışma moduna yanıt olarak voltajını düşürmesi ve aktif modda over 0 ’değerlerinin üzerine yazılmasını önlemek için yapılandırılarak maksimuma çıkarıldı.
Güç tüketimini LPDDR4X‘te mevcut boş modun yarısına indirdiği varsayılan yeni bir “derin uyku” modu da mevcut. Genel olarak, Samsung, yeni LPDDR5 belleğinin yüzde 30’a varan oranda daha fazla güç tüketmesi gerektiğini söylüyor.
Aslında, JEDEC henüz LPDDR5 spesifikasyonunu kesinleştirmiş gibi görünmüyor ki bu da oldukça önemli bir durum. DDR5 henüz kesinleşmedi. Standartların DDR ana akım sürümünün daha düşük güç seçeneklerinden önce görünmesini bekleniyor.
